BSP299H6327XUSA1 価格設定（USD） [140209個在庫]
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- 品番:
- BSP299H6327XUSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSP299H6327XUSA1 electronic components. BSP299H6327XUSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP299H6327XUSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP299H6327XUSA1 製品の属性
品番 :
BSP299H6327XUSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
400mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
400pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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