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- 品番:
- STP12NM50N
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 11A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP12NM50N electronic components. STP12NM50N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP12NM50N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP12NM50N 製品の属性
品番 :
STP12NM50N
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
シリーズ :
MDmesh™ II
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
940pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
100W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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