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- 品番:
- PHK4NQ20T,518
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PHK4NQ20T,518 electronic components. PHK4NQ20T,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHK4NQ20T,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHK4NQ20T,518 製品の属性
品番 :
PHK4NQ20T,518
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
130 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1230pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
6.25W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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