DMG6602SVTX-7 価格設定（USD） [773543個在庫]
- 1 pcs$0.04782
- 品番:
- DMG6602SVTX-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMG6602SVTX-7 electronic components. DMG6602SVTX-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG6602SVTX-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMG6602SVTX-7 製品の属性
品番 :
DMG6602SVTX-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel Complementary
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
60 mOhm @ 3.1A, 10V, 95 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13nC @ 10V, 9nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
400pF @ 15V, 420pF @ 15V
パワー-最大 :
840mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSOT-26
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