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Microsemi Corporation - 1N5806US

KEY Part #: K6441669

1N5806US 価格設定（USD） [10333個在庫]

  • 1 pcs$4.22191
  • 10 pcs$3.80016
  • 25 pcs$3.46249
  • 100 pcs$3.12461
  • 250 pcs$2.87127
  • 500 pcs$2.61793
品番:
1N5806US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A. Rectifiers D MET 2.5A SFST 150V SRFC MNT
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5806US electronic components. 1N5806US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5806US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5806US 製品の属性

品番 : 1N5806US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 150V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 875mV @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 25ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 150V
静電容量@ Vr、F : 25pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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