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Comchip Technology - CDBDSC10650-G

KEY Part #: K6441607

CDBDSC10650-G 価格設定（USD） [19897個在庫]

  • 1 pcs$2.07129
品番:
CDBDSC10650-G
メーカー:
Comchip Technology
詳細な説明:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Comchip Technology CDBDSC10650-G electronic components. CDBDSC10650-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBDSC10650-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC10650-G 製品の属性

品番 : CDBDSC10650-G
メーカー : Comchip Technology
説明 : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 650V
電流-平均整流（Io） : 33A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 10A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : 690pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : D-PAK (TO-252)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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