ON Semiconductor - 1N3070

KEY Part #: K6450096

1N3070 価格設定(USD) [516個在庫]

  • 261 pcs$1.64364

品番:
1N3070
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3070 製品の属性

品番 : 1N3070
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 500mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 100mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 175V
静電容量@ Vr、F : 5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)

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