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- 品番:
- IRFH7185TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 100V 19A 8QFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH7185TRPBF electronic components. IRFH7185TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH7185TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH7185TRPBF 製品の属性
品番 :
IRFH7185TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
シリーズ :
FASTIRFET™, HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
19A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.6V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2320pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.6W (Ta), 160W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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