DMN33D8LDW-13 価格設定（USD） [1445909個在庫]
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- 10,000 pcs$0.02297
- 品番:
- DMN33D8LDW-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.25A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN33D8LDW-13 electronic components. DMN33D8LDW-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN33D8LDW-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN33D8LDW-13 製品の属性
品番 :
DMN33D8LDW-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
250mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.23nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
48pF @ 5V
パワー-最大 :
350mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-363
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