Infineon Technologies - IPI045N10N3GXK

KEY Part #: K6400976

[3210個在庫]


    品番:
    IPI045N10N3GXK
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI045N10N3GXK 製品の属性

    品番 : IPI045N10N3GXK
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
    シリーズ : OptiMOS™ 3
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 137A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 150µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 117nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8410pF @ 50V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 214W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO262-3
    パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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