Infineon Technologies - FF650R17IE4BOSA1

KEY Part #: K6533700

FF650R17IE4BOSA1 価格設定(USD) [195個在庫]

  • 1 pcs$236.03741

品番:
FF650R17IE4BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 1700V 650A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF650R17IE4BOSA1 製品の属性

品番 : FF650R17IE4BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 1700V 650A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : 2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : -
パワー-最大 : 4150W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.45V @ 15V, 650A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 54nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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