Infineon Technologies - FF650R17IE4BOSA1

KEY Part #: K6533700

FF650R17IE4BOSA1 価格設定(USD) [195個在庫]

  • 1 pcs$236.03741

品番:
FF650R17IE4BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 1700V 650A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF650R17IE4BOSA1 製品の属性

品番 : FF650R17IE4BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 1700V 650A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : 2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : -
パワー-最大 : 4150W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.45V @ 15V, 650A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 54nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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