BSZ058N03LSGATMA1 価格設定（USD） [279894個在庫]
- 1 pcs$0.13215
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSZ058N03LSGATMA1 electronic components. BSZ058N03LSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ058N03LSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSZ058N03LSGATMA1 製品の属性
品番 :
BSZ058N03LSGATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
15A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2400pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.1W (Ta), 45W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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