ON Semiconductor - FCP110N65F

KEY Part #: K6397450

FCP110N65F 価格設定(USD) [17545個在庫]

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品番:
FCP110N65F
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP110N65F 製品の属性

品番 : FCP110N65F
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 650V 35A TO220
シリーズ : FRFET®, SuperFET® II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 110 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 3.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4895pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 357W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3