SQM120N04-1M9_GE3 価格設定（USD） [51012個在庫]
- 1 pcs$0.76651
- 800 pcs$0.68986
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 120A TO263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
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SQM120N04-1M9_GE3 製品の属性
品番 :
SQM120N04-1M9_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
270nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8790pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (D2Pak)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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