HGTD7N60C3S9A 価格設定（USD） [102687個在庫]
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- 品番:
- HGTD7N60C3S9A
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 14A 60W TO252AA.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HGTD7N60C3S9A electronic components. HGTD7N60C3S9A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTD7N60C3S9A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGTD7N60C3S9A 製品の属性
品番 :
HGTD7N60C3S9A
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 14A 60W TO252AA
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
14A
電流-パルスコレクター（Icm） :
56A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 7A
パワー-最大 :
60W
スイッチングエネルギー :
165µJ (on), 600µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
23nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
-
試験条件 :
-
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252AA
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