NGTB60N65FL2WG 価格設定（USD） [7845個在庫]
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- 品番:
- NGTB60N65FL2WG
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- 650V/60A IGBT FSII.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NGTB60N65FL2WG electronic components. NGTB60N65FL2WG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTB60N65FL2WG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NGTB60N65FL2WG 製品の属性
品番 :
NGTB60N65FL2WG
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
650V/60A IGBT FSII
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100A
電流-パルスコレクター（Icm） :
240A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 60A
パワー-最大 :
595W
スイッチングエネルギー :
1.59mJ (on), 660µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
318nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
117ns/265ns
試験条件 :
400V, 60A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
96ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3
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