IXYS - MIXA10WB1200TMH

KEY Part #: K6533648

MIXA10WB1200TMH 価格設定(USD) [763個在庫]

  • 20 pcs$15.25438

品番:
MIXA10WB1200TMH
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
IGBT MODULE 1200V 12A HEX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS MIXA10WB1200TMH electronic components. MIXA10WB1200TMH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MIXA10WB1200TMH, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MIXA10WB1200TMH 製品の属性

品番 : MIXA10WB1200TMH
メーカー : IXYS
説明 : IGBT MODULE 1200V 12A HEX
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
IGBTタイプ : PT
構成 : Three Phase Inverter with Brake
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 17A
パワー-最大 : 63W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 9A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100µA
入力容量(Cies)@ Vce : -
入力 : Three Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : MiniPack2
サプライヤーデバイスパッケージ : MiniPack2

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.