Taiwan Semiconductor Corporation - F1T1G A1G

KEY Part #: K6431600

F1T1G A1G 価格設定(USD) [1665266個在庫]

  • 1 pcs$0.02221

品番:
F1T1G A1G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation F1T1G A1G electronic components. F1T1G A1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F1T1G A1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F1T1G A1G 製品の属性

品番 : F1T1G A1G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 50V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : T-18, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : TS-1
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • 1SS193,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • SICRD10650CTTR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • 50WQ06FNTR

    SMC Diode Solutions

    SCHOTTKY RECTIFIER 60V D-PAK.

  • V12PM10HM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 100V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified

  • AR3PM-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 1.6A TO277. Rectifiers 3A,1000V,Fast RecoveryAvalanche SM

  • V12P8-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 80V 4.3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 80V,TRENCH SKY RECT.