[103個在庫]
- 品番:
- BSP613P
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSP613P electronic components. BSP613P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP613P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP613P 製品の属性
品番 :
BSP613P
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.9A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
130 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
875pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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