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GeneSiC Semiconductor - GA05JT12-263

KEY Part #: K6399928

GA05JT12-263 価格設定（USD） [8145個在庫]

  • 1 pcs$5.50875
  • 10 pcs$4.95743
  • 25 pcs$4.51665
  • 100 pcs$4.07608
  • 250 pcs$3.74558
  • 500 pcs$3.41508
品番:
GA05JT12-263
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
TRANS SJT 1200V 15A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263 electronic components. GA05JT12-263 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA05JT12-263, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA05JT12-263 製品の属性

品番 : GA05JT12-263
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : TRANS SJT 1200V 15A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : -
技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 15A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : -
Rds On（最大）@ Id、Vgs : -
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : -
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力（最大） : 106W (Tc)
動作温度 : 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK (7-Lead)
パッケージ/ケース : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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