DMN6022SSD-13 価格設定（USD） [277874個在庫]
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- 2,500 pcs$0.11828
- 品番:
- DMN6022SSD-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN6022SSD-13 electronic components. DMN6022SSD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN6022SSD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN6022SSD-13 製品の属性
品番 :
DMN6022SSD-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
29 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
32nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2110pF @ 30V
パワー-最大 :
1.2W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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