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- 品番:
- FGP30N6S2D
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 45A 167W TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FGP30N6S2D electronic components. FGP30N6S2D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGP30N6S2D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGP30N6S2D 製品の属性
品番 :
FGP30N6S2D
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 45A 167W TO220AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
45A
電流-パルスコレクター（Icm） :
108A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.5V @ 15V, 12A
パワー-最大 :
167W
スイッチングエネルギー :
55µJ (on), 100µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
23nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
6ns/40ns
試験条件 :
390V, 12A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
46ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
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