NVTFS5811NLTWG 価格設定（USD） [13338個在庫]
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- 品番:
- NVTFS5811NLTWG
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVTFS5811NLTWG electronic components. NVTFS5811NLTWG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVTFS5811NLTWG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVTFS5811NLTWG 製品の属性
品番 :
NVTFS5811NLTWG
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
16A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1570pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.2W (Ta), 21W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-WDFN (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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