Vishay Semiconductor Diodes Division - 10ETS12S

KEY Part #: K6451455

[52個在庫]


    品番:
    10ETS12S
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    10ETS12S 製品の属性

    品番 : 10ETS12S
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
    電流-平均整流(Io) : 10A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 10A
    速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 50µA @ 1200V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB (D²PAK)
    動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

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