IRLML2030TRPBF 価格設定（USD） [877970個在庫]
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- 品番:
- IRLML2030TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLML2030TRPBF electronic components. IRLML2030TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLML2030TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLML2030TRPBF 製品の属性
品番 :
IRLML2030TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
110pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.3W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Micro3™/SOT-23
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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