[2181個在庫]
- 品番:
- RJK6018DPK-00#T0
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RJK6018DPK-00#T0 electronic components. RJK6018DPK-00#T0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK6018DPK-00#T0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJK6018DPK-00#T0 製品の属性
品番 :
RJK6018DPK-00#T0
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
235 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
92nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4100pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
200W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PSMN010-55D,118
- SCT50N120
- AOT440L_001
- DMN2400UFDQ-7
- IPA80R460CEXKSA1
- GP1M006A065FH
- PMFPB8040XP,115
- APT28F60S
- IRLR3715TRRPBF
- AON7246
- STS3P6F6
- AUIRFP2907Z
- 2N7002L6327HTSA1
- TPCP8001-H(TE85LFM
- IRF3707ZCSTRLP
- APT8024LLLG
- SPA03N60C3XKSA1
- SPP80N08S2L-07
- IPI60R385CPXKSA1
- ZXMN6A25K
- ZXMN6A25G
- MIC94050BM4 TR
- NDPL100N10BG
- IPU60R2K1CEBKMA1
- IRL530S
- IRL2910L
- SI4420DY
- IRLU3303
- IRFZ34NS
- 2SK3047
- STD10PF06T4
- IPD60R1K4C6
- IPW65R125C7XKSA1
- SIHP15N60E-E3
- STF12NM65
- AUIRF1324STRL
- AUIRF1405ZS-7TRL
- SI4190ADY-T1-GE3
- BUK7M21-40EX
- RQ6E035ATTCR