Infineon Technologies - IPW80R280P7XKSA1

KEY Part #: K6417050

IPW80R280P7XKSA1 価格設定(USD) [24103個在庫]

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品番:
IPW80R280P7XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW80R280P7XKSA1 製品の属性

品番 : IPW80R280P7XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 800V 17A TO247
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 280 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 360µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1200pF @ 500V
FET機能 : Super Junction
消費電力(最大) : 101W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-3-41
パッケージ/ケース : TO-247-3

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