NGTB05N60R2DT4G 価格設定（USD） [9663個在庫]
- 2,500 pcs$0.17063
- 品番:
- NGTB05N60R2DT4G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 5A 600V DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NGTB05N60R2DT4G electronic components. NGTB05N60R2DT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTB05N60R2DT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NGTB05N60R2DT4G 製品の属性
品番 :
NGTB05N60R2DT4G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 5A 600V DPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
16A
電流-パルスコレクター（Icm） :
20A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 5A
パワー-最大 :
56W
スイッチングエネルギー :
188µJ (on), 60µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
30nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
44ns/82ns
試験条件 :
300V, 5A, 30 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
70ns
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
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