ON Semiconductor - FDMS037N08B

KEY Part #: K6397143

FDMS037N08B 価格設定(USD) [80708個在庫]

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品番:
FDMS037N08B
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS037N08B 製品の属性

品番 : FDMS037N08B
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5915pF @ 37.5V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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