Microsemi Corporation - APT50M65B2FLLG

KEY Part #: K6395400

APT50M65B2FLLG 価格設定(USD) [4008個在庫]

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品番:
APT50M65B2FLLG
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50M65B2FLLG 製品の属性

品番 : APT50M65B2FLLG
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
シリーズ : POWER MOS 7®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 67A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 65 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 141nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7010pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 694W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™ [B2]
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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