1N5407GP-E3/73 価格設定（USD） [283149個在庫]
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- 品番:
- 1N5407GP-E3/73
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,800V, STD SUPERECT
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N5407GP-E3/73 electronic components. 1N5407GP-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5407GP-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5407GP-E3/73 製品の属性
品番 :
1N5407GP-E3/73
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.2V @ 3A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 400V
静電容量@ Vr、F :
30pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-201AD
動作温度-ジャンクション :
-50°C ~ 150°C
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