DMN10H700S-7 価格設定（USD） [1041905個在庫]
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- 品番:
- DMN10H700S-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的 and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN10H700S-7 electronic components. DMN10H700S-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H700S-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN10H700S-7 製品の属性
品番 :
DMN10H700S-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
700mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
235pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
400mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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