[13059個在庫]
- 品番:
- FQPF28N15T
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQPF28N15T electronic components. FQPF28N15T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF28N15T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQPF28N15T 製品の属性
品番 :
FQPF28N15T
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
16.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 8.35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
60W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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