Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4934GPE-E3/91

KEY Part #: K6443833

1N4934GPE-E3/91 価格設定(USD) [2656個在庫]

  • 12,500 pcs$0.06352

品番:
1N4934GPE-E3/91
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4934GPE-E3/91 electronic components. 1N4934GPE-E3/91 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4934GPE-E3/91, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4934GPE-E3/91 製品の属性

品番 : 1N4934GPE-E3/91
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 200ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-204AL (DO-41)
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-8EWS08S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA. Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA08TA60C-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.

  • VSB1545-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.

  • BAY80-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.

  • VS-8ETU04STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.

  • VS-MBRB1045PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK.