VS-HFA08TA60C-N3 価格設定（USD） [2636個在庫]
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- 品番:
- VS-HFA08TA60C-N3
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08TA60C-N3 electronic components. VS-HFA08TA60C-N3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA08TA60C-N3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA08TA60C-N3 製品の属性
品番 :
VS-HFA08TA60C-N3
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB
シリーズ :
HEXFRED®
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
4A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.8V @ 4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
155ns
電流-Vrでの逆漏れ :
3µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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