[12848個在庫]
- 品番:
- IRF830AS
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRF830AS electronic components. IRF830AS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF830AS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF830AS 製品の属性
品番 :
IRF830AS
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
620pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 74W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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