GPA020A120MN-FD 価格設定（USD） [58596個在庫]
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- 品番:
- GPA020A120MN-FD
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 40A 223W TO3PN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Global Power Technologies Group GPA020A120MN-FD electronic components. GPA020A120MN-FD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GPA020A120MN-FD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GPA020A120MN-FD 製品の属性
品番 :
GPA020A120MN-FD
メーカー :
Global Power Technologies Group
説明 :
IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
40A
電流-パルスコレクター（Icm） :
60A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.5V @ 15V, 20A
パワー-最大 :
223W
スイッチングエネルギー :
2.8mJ (on), 480µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
210nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
30ns/150ns
試験条件 :
600V, 20A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
425ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PN
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