Taiwan Semiconductor Corporation - ESH3B V7G

KEY Part #: K6426391

ESH3B V7G 価格設定(USD) [633613個在庫]

  • 1 pcs$0.05838

品番:
ESH3B V7G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 25ns 3A 100V UlFst Recov Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH3B V7G 製品の属性

品番 : ESH3B V7G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : -
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 20ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 45pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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