ON Semiconductor - NSVD350HT1G

KEY Part #: K6425391

NSVD350HT1G 価格設定(USD) [2338035個在庫]

  • 1 pcs$0.01582
  • 15,000 pcs$0.01412

品番:
NSVD350HT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 350V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SOD323 SWCH DIO 3
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NSVD350HT1G electronic components. NSVD350HT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVD350HT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVD350HT1G 製品の属性

品番 : NSVD350HT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 350V 200MA SOD323
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 350V
電流-平均整流(Io) : 200mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 100mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : 55ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 350V
静電容量@ Vr、F : 5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-76, SOD-323
サプライヤーデバイスパッケージ : SOD-323
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 155°C

あなたも興味があるかもしれません
  • RHRD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V Hyperfast

  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • LXA03D530

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V 3A X-Series 3A 75nC 3.2A 0.34