[13871個在庫]
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M electronic components. TPCF8B01(TE85L,F,M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCF8B01(TE85L,F,M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPCF8B01(TE85L,F,M 製品の属性
品番 :
TPCF8B01(TE85L,F,M
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
シリーズ :
U-MOSIII
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6nC @ 5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
470pF @ 10V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
330mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
VS-8 (2.9x1.5)
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
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