JANTXV1N5419US 価格設定（USD） [3733個在庫]
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- 品番:
- JANTXV1N5419US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching Rectifier
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5419US electronic components. JANTXV1N5419US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5419US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTXV1N5419US 製品の属性
品番 :
JANTXV1N5419US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/411
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
500V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.5V @ 9A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
250ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 500V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-5B
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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