DMT10H015LFG-7 価格設定（USD） [179158個在庫]
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- 品番:
- DMT10H015LFG-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 10A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT10H015LFG-7 electronic components. DMT10H015LFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT10H015LFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT10H015LFG-7 製品の属性
品番 :
DMT10H015LFG-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 100V 10A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta), 42A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
13.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
33.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1871pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta), 35W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI3333-8
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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