TSM4ND65CI 価格設定（USD） [82036個在庫]
- 1 pcs$0.47663
- 品番:
- TSM4ND65CI
- 詳細な説明:
- 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI electronic components. TSM4ND65CI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM4ND65CI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM4ND65CI 製品の属性
品番 :
TSM4ND65CI
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.8V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
16.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
596pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
41.6W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ITO-220
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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