SGS10N60RUFDTU 価格設定（USD） [36674個在庫]
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- 品番:
- SGS10N60RUFDTU
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 16A 55W TO220F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor SGS10N60RUFDTU electronic components. SGS10N60RUFDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SGS10N60RUFDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SGS10N60RUFDTU 製品の属性
品番 :
SGS10N60RUFDTU
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 16A 55W TO220F
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
16A
電流-パルスコレクター（Icm） :
30A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.8V @ 15V, 10A
パワー-最大 :
55W
スイッチングエネルギー :
141µJ (on), 215µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
30nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
15ns/36ns
試験条件 :
300V, 10A, 20 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
60ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
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