SQJQ466E-T1_GE3 価格設定（USD） [63669個在庫]
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- 品番:
- SQJQ466E-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJQ466E-T1_GE3 electronic components. SQJQ466E-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJQ466E-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJQ466E-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQJQ466E-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
10210pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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