EPC2106ENGRT 価格設定（USD） [119287個在庫]
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- 品番:
- EPC2106ENGRT
- メーカー:
- EPC
- 詳細な説明:
- GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
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EPC2106ENGRT 製品の属性
品番 :
EPC2106ENGRT
メーカー :
EPC
説明 :
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
シリーズ :
eGaN®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.7A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 600µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.73nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
75pF @ 50V
パワー-最大 :
-
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die
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