Infineon Technologies - IRF7233TRPBF

KEY Part #: K6411568

[13745個在庫]


    品番:
    IRF7233TRPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7233TRPBF 製品の属性

    品番 : IRF7233TRPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9.5A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 600mV @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 74nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±12V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6000pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 2.5W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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