VS-HFA04SD60SHM3 価格設定（USD） [114936個在庫]
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- 品番:
- VS-HFA04SD60SHM3
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA04SD60SHM3 electronic components. VS-HFA04SD60SHM3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA04SD60SHM3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA04SD60SHM3 製品の属性
品番 :
VS-HFA04SD60SHM3
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
4A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.8V @ 4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
42ns
電流-Vrでの逆漏れ :
3µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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