BYG21KHM3_A/I 価格設定（USD） [603947個在庫]
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- 15,000 pcs$0.05326
- 品番:
- BYG21KHM3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,800V,120nS AVAL AEC-Q101 Qualified
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG21KHM3_A/I electronic components. BYG21KHM3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG21KHM3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG21KHM3_A/I 製品の属性
品番 :
BYG21KHM3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Avalanche
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
1.5A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.6V @ 1.5A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
120ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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