Renesas Electronics America - RJU60C3SDPD-E0#J2

KEY Part #: K6444112

[7355個在庫]


    品番:
    RJU60C3SDPD-E0#J2
    メーカー:
    Renesas Electronics America
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Renesas Electronics America RJU60C3SDPD-E0#J2 electronic components. RJU60C3SDPD-E0#J2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJU60C3SDPD-E0#J2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJU60C3SDPD-E0#J2 製品の属性

    品番 : RJU60C3SDPD-E0#J2
    メーカー : Renesas Electronics America
    説明 : DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
    シリーズ : -
    部品ステータス : Last Time Buy
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 10A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.1V @ 30A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 90ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 600V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252
    動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

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